公开(公告)号：CN110648976B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201910530743.2

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  朴小螺 ,  安正勋

IPC: H01L23/00 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括：衬底，具有第一表面和面对第一表面的第二表面，衬底具有通路孔，通路孔从衬底的第一表面朝向衬底的第二表面延伸；在通路孔中的穿通通路；在衬底的第一表面上的半导体部件；以及内部缓冲结构，与通路孔间隔开并在通路孔与半导体部件之间，内部缓冲结构从衬底的第一表面朝向衬底的内部延伸，内部缓冲结构的顶端在比穿通通路的顶端高的水平处。

公开(公告)号：CN110648976A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910530743.2

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  朴小螺 ,  安正勋

IPC: H01L23/00 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括：衬底，具有第一表面和面对第一表面的第二表面，衬底具有通路孔，通路孔从衬底的第一表面朝向衬底的第二表面延伸；在通路孔中的穿通通路；在衬底的第一表面上的半导体部件；以及内部缓冲结构，与通路孔间隔开并在通路孔与半导体部件之间，内部缓冲结构从衬底的第一表面朝向衬底的内部延伸，内部缓冲结构的顶端在比穿通通路的顶端高的水平处。