公开(公告)号：CN100573825C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200510075315.3

申请日：2005-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 厄斯哈科夫·安德瑞 ,  任洵圭 ,  朴休林 ,  韩宰贤 ,  朴英敏

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/14

Abstract: 本发明提供一种为均匀地喷射供应于晶片的工程气体而改进气体分配面板结构的化学气相沉积装置及其方法。为此，本发明包含用于向工艺室内的晶片分配工程气体的喷头，该喷头包含形成多个气体喷射流路的气体分配面板，多个气体喷射流路中至少一个流路包含向气体分配面板开始流入工程气体的第一流路和为了改变通过第一流路的工程气体的流向而相对第一流路的方向按一定角度倾斜而形成的第二流路。此时，为了使工程气体通过第二流路并被扩散到更宽的面积，第二流路可以形成导槽形态。据此结构，本发明即使为了提高工艺效率而缩短气体分配面板和晶片之间的间距，也能将工程气体均匀沉积到晶片整个表面，因而具有能制造优质晶片的效果。

公开(公告)号：CN1848380A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200510075315.3

申请日：2005-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 厄斯哈科夫·安德瑞 ,  任洵圭 ,  朴休林 ,  韩宰贤 ,  朴英敏

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/14

Abstract: 本发明提供一种为均匀地喷射供应于晶片的工程气体而改进气体分配面板结构的化学气相沉积装置及其方法。为此，本发明包含用于向工艺室内的晶片分配工程气体的喷头，该喷头包含形成多个气体喷射流路的气体分配面板，多个气体喷射流路中至少一个流路包含向气体分配面板开始流入工程气体的第一流路和为了改变通过第一流路的工程气体的流向而相对第一流路的方向按一定角度倾斜而形成的第二流路。此时，为了使工程气体通过第二流路并被扩散到更宽的面积，第二流路可以形成导槽形态。据此结构，本发明即使为了提高工艺效率而缩短气体分配面板和晶片之间的间距，也能将工程气体均匀沉积到晶片整个表面，因而具有能制造优质晶片的效果。

公开(公告)号：CN1901153A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200510127924.9

申请日：2005-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴英敏 ,  朴鲁正 ,  朴休林 ,  金东哲 ,  南宫同训

IPC: H01L21/677

Abstract: 本发明涉及一种用于将由收容多个晶片的晶片盒取出的所述晶片移送到进行预定工艺的反应器中的晶片移送装置，其特征在于包含：具有臂的晶片移送部，该臂用于支持收容于所述晶片盒的所述晶片并将其移送到所述反应器中；在所述晶片盒的出口侧按照所述晶片移送方向的横向上相互间隔地设置为三个以上的传感器；控制部，该控制部为当根据取出所支持的所述晶片的臂移送速度及所述传感器所检测到的检测信号而计算的目标位置与检测位置互不相同时，将所述晶片的目标位置修正为所述晶片的检测位置，然后控制所述晶片移送部将所述晶片移送到所述反应器。由此，提供一种对中晶片所需时间较少的晶片移送装置及其移送方法。