公开(公告)号：CN117473849A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310627024.9

申请日：2023-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张元翼 ,  明相勳 ,  崔在铭

IPC: G06F30/27 ,  G06N3/042 ,  G06N3/08

Abstract: 提供了半导体装置仿真系统和方法。所述方法包括：使用半导体装置仿真器来生成与仿真的半导体装置相关联的网格；从与网格相关联的信息提取节点；使用与网格相关联的信息来提取连接在节点之间的边；关于节点和边生成图信息；将图信息施加到图神经网络(GNN)学习模型；以及响应于施加到仿真的半导体装置的状态信息的变化，使用GNN学习模型来预测网格的变化。

公开(公告)号：CN120068570A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411634224.8

申请日：2024-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金桂烨 ,  明相勳 ,  郑载勳 ,  崔允智 ,  韩松伊

IPC: G06F30/27 ,  G06N3/084

Abstract: 公开了自动校准方法和自动校准系统。根据至少一个实例实施例的自动校准方法可包括：接收至少一个内部方程、与半导体装置设计相关联的输入数据和与半导体装置设计相关联的硬件数据；基于所述输入数据和所述硬件数据来生成至少一个近似函数；基于生成的所述至少一个近似函数来确定至少一个损失函数；确定所述至少一个近似函数的至少一个参数和所述至少一个内部方程的至少一个参数，使得所述至少一个损失函数的值为0；以及基于确定的所述至少一个近似函数的至少一个参数和所述至少一个内部方程的至少一个参数来选择性地调整半导体装置设计。