半导体器件和包括半导体器件的电子系统

    公开(公告)号:CN119993939A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202410868422.4

    申请日:2024-07-01

    Abstract: 本公开涉及一种半导体器件和包括半导体器件的电子系统。该半导体器件可以包括电路元件布线、连接到电路元件布线的下布线、在下布线上的下层间绝缘层、以及穿透下层间绝缘层的第一接触垫。第一接触垫可以包括连接到下布线的第一部分、在第一部分上的包括空隙的第二部分、以及在第二部分上的第三部分。第二部分的两个外表面之间沿水平方向的最大宽度可以大于第三部分沿水平方向的宽度。

    半导体存储器装置及其制造方法和包括其的电子系统

    公开(公告)号:CN119967812A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202411431925.1

    申请日:2024-10-14

    Abstract: 提供了包括三维地布置的存储器单元的半导体存储器装置、其制造方法以及包括其的电子系统。半导体存储器装置包括:第一堆叠结构,其包括顺序地堆叠并彼此间隔开的第一栅电极;第二堆叠结构,其位于第一堆叠结构上并包括顺序地堆叠并彼此间隔开的第二栅电极;以及沟道结构,其在竖直方向上延伸并穿过第一堆叠结构和第二堆叠结构,其中,沟道结构包括沟道层和数据存储层,沟道层包括与第一栅电极交叉的第一柱部、与第二栅电极交叉的第二柱部、以及沿与竖直方向相交的平面延伸的水平部,水平部连接第一柱部和第二柱部,并且数据存储层沿沟道层的外侧延伸。

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