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公开(公告)号：CN116367532A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211173475.1
申请日：2022-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 丁贤玉 , 朴孝珍 , 成豪镇 , 李知恩 , 曹永丞
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括其中具有外围区域和单元区域的基底。提供了在外围区域中从基底突出的第一半导体有源图案。提供了在单元区域中从基底突出的第二半导体有源图案。第一半导体有源图案的上部分的第一边缘具有圆形形状，并且第二半导体有源图案的上部分的第二边缘具有圆形形状。第一边缘的曲率大于第二边缘的曲率。
