公开(公告)号：CN118119180A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311589201.5

申请日：2023-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎镛珍 ,  金东佑 ,  金汶濬 ,  金埈宽 ,  裵温柔 ,  禹庆敏

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，具有单元区域和围绕单元区域的外围区域；下电极，在衬底的单元区域上沿竖直方向延伸；上电极，围绕下电极的侧壁和顶表面；电容器介电层，设置在下电极和上电极之间；第一阻挡层，设置在上电极上，第一阻挡层与上电极的侧壁和顶表面中的每一个接触；第一层间绝缘层，覆盖第一阻挡层，第一层间绝缘层包括与第一阻挡层的材料不同的材料；以及第一接触部，在竖直方向上贯穿第一阻挡层和第一层间绝缘层，第一接触部连接到上电极。

公开(公告)号：CN113745225A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110465554.9

申请日：2021-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金阵燮 ,  金埈宽 ,  卢佑哲 ,  金庆希 ,  金益秀 ,  慎镛珍

IPC: H01L27/108 ,  H01L49/02

Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：下电极，位于基底上；电容器介电膜，在下电极上沿着下电极的与基底垂直的侧表面延伸；上电极，位于电容器介电膜上；界面层，包括位于上电极上的氢阻挡膜和氢旁路膜，氢旁路膜包括导电材料；以及接触插塞，穿透界面层，并且电连接到上电极。

公开(公告)号：CN118159021A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311625804.6

申请日：2023-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金埈宽 ,  金东佑 ,  金汶濬 ,  裵温柔 ,  慎镛珍 ,  禹庆敏

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包含第一浓度的氘；有源图案，所述有源图案设置在所述衬底上并在第一水平方向上延伸；栅电极，所述栅电极设置在所述有源图案上并在不同于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述有源图案和所述栅电极之间，所述栅极绝缘层包含第二浓度的氘；第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层设置在所述栅电极上；第二层间绝缘层，所述第二层间绝缘层设置在所述第一层间绝缘层上；以及布线图案，所述布线图案设置在所述第二层间绝缘层内部，所述布线图案包含低于所述第一浓度的第三浓度的氘，其中所述第一浓度至所述第三浓度中的每一者是相同单位体积中包含的氘原子的浓度。

公开(公告)号：CN113745196A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110193507.3

申请日：2021-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆希 ,  卢佑哲 ,  金益秀 ,  金埈宽 ,  金陈燮 ,  慎镛珍

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/108 ,  H01L27/24

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：衬底，包括单元阵列区域和外围电路区域；单元晶体管，在衬底的单元阵列区域上；外围晶体管，在衬底的外围电路区域上；第一互连层，连接到单元晶体管；第二互连层，连接到外围晶体管；层间电介质层，覆盖第一互连层；以及阻挡层，与第一互连层间隔开，该阻挡层覆盖第二互连层的顶表面和侧壁。