公开(公告)号：CN105765741B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201480065440.3

申请日：2014-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐软瑀 ,  金定燮 ,  崔荣进 ,  丹尼斯·桑尼科夫 ,  成汉珪 ,  千大明 ,  许在赫

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明的一个实施例提供了一种纳米结构半导体发光器件，其包括：基础层，其由第一导电类型的半导体构成；绝缘层，其形成在基础层上并且具有暴露出基础层的部分区域的多个开口；纳米核，其形成在基础层的暴露的区域中的每一个上，由第一导电类型的半导体构成，并且具有晶面与其侧表面的晶面不同的上端部分；在纳米核的表面上接连形成的有源层和第二导电类型的半导体层；以及电流阻挡中间层，其形成在纳米核的上端部分上，以位于有源层与纳米核之间。

公开(公告)号：CN105765741A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480065440.3

申请日：2014-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐软瑀 ,  金定燮 ,  崔荣进 ,  丹尼斯·桑尼科夫 ,  成汉珪 ,  千大明 ,  许在赫

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明的一个实施例提供了一种纳米结构半导体发光器件，其包括：基础层，其由第一导电类型的半导体构成；绝缘层，其形成在基础层上并且具有暴露出基础层的部分区域的多个开口；纳米核，其形成在基础层的暴露的区域中的每一个上，由第一导电类型的半导体构成，并且具有晶面与其侧表面的晶面不同的上端部分；在纳米核的表面上接连形成的有源层和第二导电类型的半导体层；以及电流阻挡中间层，其形成在纳米核的上端部分上，以位于有源层与纳米核之间。