-
公开(公告)号：CN109524400A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811086216.9
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括提供衬底结构。该方法包括形成顺序地堆叠在衬底结构上的下牺牲层、下支撑物层、上牺牲层和上支撑物层。该方法包括在上支撑物层上形成掩模图案、通过使用掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻上支撑物层而形成上支撑物图案。该方法包括形成穿透上支撑物图案、上牺牲层、下支撑物层和下牺牲层的凹陷区域、以及去除下牺牲层和上牺牲层。掩模图案在形成上支撑物图案的工艺期间被去除。并且，当形成凹陷区域的工艺结束时，上支撑物图案留下。
Search Results
1
records
(took 0.016 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
