公开(公告)号：CN107039236A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610814092.6

申请日：2016-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴暎泽 ,  权赫信 ,  徐焕受 ,  田仁秀

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/0242 ,  H01L29/068

Abstract: 本发明的实施方式提供形成纳米接构的方法、使用其制造半导体器件的方法和包括纳米结构的半导体器件。形成纳米结构的方法可以包括形成绝缘层以及在绝缘层上形成纳米结构。该绝缘层可以具有晶体结构。该绝缘层可以包括绝缘二维(2D)材料。该绝缘2D材料可以包括六方氮化硼(h‑BN)。该绝缘层可以形成在催化剂金属层上。该纳米结构可以包括硅(Si)、锗(Ge)和SiGe中的至少一种。纳米结构可以包括至少一个纳米线。

公开(公告)号：CN107039236B

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN201610814092.6

申请日：2016-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴暎泽 ,  权赫信 ,  徐焕受 ,  田仁秀

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明的实施方式提供形成纳米接构的方法、使用其制造半导体器件的方法和包括纳米结构的半导体器件。形成纳米结构的方法可以包括形成绝缘层以及在绝缘层上形成纳米结构。该绝缘层可以具有晶体结构。该绝缘层可以包括绝缘二维(2D)材料。该绝缘2D材料可以包括六方氮化硼(h‑BN)。该绝缘层可以形成在催化剂金属层上。该纳米结构可以包括硅(Si)、锗(Ge)和SiGe中的至少一种。纳米结构可以包括至少一个纳米线。

公开(公告)号：CN103227279A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201210382997.2

申请日：2012-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐焕受

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/047 ,  H01L41/053

CPC classification number: H02N2/043 ,  G01D5/2412 ,  H01L41/0993 ,  H02N2/0095 ,  H02N2/02 ,  H02N2/025 ,  H02N2/028 ,  H02N2/101

Abstract: 本发明提供了一种压电致动器。该压电致动器包括：固定主体；可移动主体，布置为面对固定主体；以及多个压电元件，布置在固定主体与可移动主体之间并以剪切模式操作，每个压电元件具有固定到固定主体的一端以及接触可移动主体的另一端，其中多个压电元件的每个的极化方向彼此不同。