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公开(公告)号：CN117393564A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202310834108.X
申请日：2023-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/08 , H01L23/538 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件，具有：有源区，包括第一有源区和第二有源区，第一有源区和第二有源区彼此平行，并且分别在衬底上在第一水平方向上延伸；场区域，限定有源区；第一绝缘结构，在场区域上在第一水平方向上延伸；栅极结构，在第二水平方向上延伸以与有源区和第一绝缘结构相交；源/漏区，设置在栅极结构的至少一侧，源/漏区包括在第一有源区上的第一源/漏区和在第二有源区上的第二源/漏区；以及公共接触插塞，在栅极结构的第一侧，并且连接到彼此相对的第一源/漏区和第二源/漏区。第一绝缘结构包括在竖直方向上与栅极结构重叠的第一部分。
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