公开(公告)号：CN112447726B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202010644166.2

申请日：2020-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝燮 ,  金根楠 ,  金桐䎸 ,  金奉秀 ,  金恩娥 ,  尹燦植 ,  李基硕 ,  丁贤玉 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：有源区域，由形成在基底中的器件隔离层限定；字线，被构造为穿过有源区域，字线在第一方向上延伸并且形成在基底中；位线，在字线上在与第一方向垂直的第二方向上延伸；第一接触件，将位线连接到有源区域；第一掩模，用于形成有源区域，第一掩模形成在有源区域上；以及第二掩模，第二掩模的顶表面的高度比有源区域的顶表面的高度大，第二掩模覆盖字线，其中，有源区域具有延伸为相对于第一方向形成锐角的条形形状。

公开(公告)号：CN119277774A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410609625.1

申请日：2024-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟珉 ,  尹燦植 ,  李基硕

IPC: H10B12/00

Abstract: 半导体装置可包括第一有源图案和第二有源图案、第一栅极结构和第二栅极结构、源极/漏极层、位线结构、接触插塞结构和电容器。第一有源图案和第二有源图案分别在基底的单元区域和外围电路区域上。第一栅极结构延伸穿过第一有源图案的上部。第二栅极结构在第二有源图案的上表面和上侧壁上。源极/漏极层在第二有源图案的与第二栅极结构邻近的部分上。位线结构在第一有源图案的中心部分上，并且在水平方向上与第二栅极结构叠置。接触插塞结构在第一有源图案的背对的端部上。电容器在接触插塞结构上。

公开(公告)号：CN116234310A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211444368.8

申请日：2022-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李全一 ,  吉奎炫 ,  白头山 ,  尹燦植 ,  韩正勳

IPC: H10B12/00 ,  H01L27/02

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；栅极介电层，在基底上，栅极介电层在其侧表面处包括凹槽；栅电极结构，在栅极介电层上；栅极覆盖层，在栅电极结构上；以及间隔件结构，在基底上并覆盖栅极介电层的侧表面、栅电极结构的侧表面和栅极覆盖层的侧表面，间隔件结构包括第一间隔件、在第一间隔件上并覆盖凹槽的第二间隔件和在第二间隔件上的第三间隔件，第二间隔件和第三间隔件包括氮化硅。

公开(公告)号：CN112447726A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010644166.2

申请日：2020-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝燮 ,  金根楠 ,  金桐 ,  金奉秀 ,  金恩娥 ,  尹燦植 ,  李基硕 ,  丁贤玉 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8242

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：有源区域，由形成在基底中的器件隔离层限定；字线，被构造为穿过有源区域，字线在第一方向上延伸并且形成在基底中；位线，在字线上在与第一方向垂直的第二方向上延伸；第一接触件，将位线连接到有源区域；第一掩模，用于形成有源区域，第一掩模形成在有源区域上；以及第二掩模，第二掩模的顶表面的高度比有源区域的顶表面的高度大，第二掩模覆盖字线，其中，有源区域具有延伸为相对于第一方向形成锐角的条形形状。

公开(公告)号：CN116525662A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310085158.2

申请日：2023-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔惠彬 ,  尹燦植 ,  吉奎炫

IPC: H01L29/423 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括有源区、设置在有源区上的栅极电介质层、设置在栅极电介质层上的栅电极、与栅电极的侧表面的一部分接触的保护层、以及覆盖栅电极的侧表面和保护层的间隔物结构。栅电极包括设置在栅极电介质层上的下导电图案、设置在下导电图案上的中间导电图案和设置在中间导电图案上的上导电图案。保护层包括与中间导电图案的侧表面的至少一部分接触的第一保护部分和与上导电图案的侧表面接触的第二保护部分，第二保护部分包括与第一保护部分的材料不同的材料。

公开(公告)号：CN116367533A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211609459.2

申请日：2022-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔雅朗 ,  尹燦植 ,  柳镐仁 ,  韩正勳

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源区，由器件隔离区限定在基底中；沟槽，在第一方向上延伸以与有源区交叉；掩埋栅极结构，分别掩埋在沟槽中，并且具有位于比有源区的上表面的水平低的水平上的上表面；缓冲结构，覆盖有源区、器件隔离区和掩埋栅极结构；位线结构，在有源区上在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且连接到有源区；存储节点接触件，位于位线结构之间，穿过缓冲结构，并且与有源区接触；以及电容器结构，与存储节点接触件的上表面接触。