公开(公告)号：CN1881531A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610093739.7

申请日：2006-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴哲佑 ,  高镛璿 ,  尹炳文 ,  金坰显 ,  李光旭 ,  柳昌吉 ,  河成昊 ,  宋寓锡 ,  田溶明 ,  朴昇栗

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/02068 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: 在处理半导体结构的方法和使用其形成半导体器件的电容器的方法中，可以使用具有小于水的表面张力的清洗溶液来清洗半导体衬底。可以在异丙醇蒸气气氛中干燥半导体结构。