公开(公告)号：CN1988033B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200610166966.8

申请日：2006-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金南钟 ,  李镐哲 ,  权敬桓 ,  黄炯烈 ,  安孝珠

IPC: G11C7/10 ,  G11C29/08

CPC classification number: G11C8/12 ,  G11C7/1075 ,  G11C29/1201 ,  G11C29/26 ,  G11C29/48 ,  G11C2029/1802

Abstract: 本发明提供了具有可变存取路径的半导体存储器件及其方法。半导体存储器件包括多个输入/输出端口；划分成多个存储区的存储器阵列；和可变地控制在存储区与输入/输出端口之间的存取路径，以便通过至少一个输入/输出端口存取每个存储区的选择控制单元。

公开(公告)号：CN101025996A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710006781.5

申请日：2007-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安孝珠 ,  金南钟

IPC: G11C7/10

CPC classification number: G11C8/12 ,  G11C7/1075 ,  G11C8/16 ,  G11C29/1201 ,  G11C29/48

Abstract: 提出了一种多端口半导体存储器件及其信号输入/输出方法。在一个实施例中，多端口半导体存储器件包括多个不同输入/输出端口和存储阵列。所述存储阵列具有可以通过使用不同输入/输出端口进行存取的至少一个存储区域。所述不同输入/输出端口包括：第一输入/输出端口，通过所述第一输入/输出端口输入/输出第一信号；以及第二输入/输出端口，通过所述第二输入/输出端口输入/输出与第一信号不同的第二信号。将存储区域分成多个存储区域。本发明提供了减少测试管脚的数目以及改善测试效率的效果。

公开(公告)号：CN1988033A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610166966.8

申请日：2006-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金南钟 ,  李镐哲 ,  权敬桓 ,  黄炯烈 ,  安孝珠

IPC: G11C7/10 ,  G11C29/08

CPC classification number: G11C8/12 ,  G11C7/1075 ,  G11C29/1201 ,  G11C29/26 ,  G11C29/48 ,  G11C2029/1802

Abstract: 本发明提供了具有可变存取路径的半导体存储器件及其方法。半导体存储器件包括多个输入/输出端口；划分成多个存储区的存储器阵列；和可变地控制在存储区与输入/输出端口之间的存取路径，以便通过至少一个输入/输出端口存取每个存储区的选择控制单元。