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发明公开
半导体器件审中-公开

公开(公告)号：CN117596864A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310752892.X

申请日：2023-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金圭旻 , 宋泰龙 , 安在荣 , 李志银 , 黄德性 , 权睿珍

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件，可以包括：位线结构，在衬底上沿一个方向延伸；绝缘结构，在位线结构之间并且彼此间隔开；以及着接焊盘结构，在位线结构和绝缘结构之间的每个开口中。着接焊盘结构可以包括填充开口的一部分的第一阻挡金属图案、在第一阻挡金属图案上沿着开口的表面轮廓的第二阻挡金属图案、以及在第二阻挡金属图案上的第一金属图案。第二阻挡金属图案可以具有在与开口相邻的位线结构上的端部。第一金属图案的上表面可以比位线结构的上表面高。第一阻挡金属图案的最上表面低于第一金属图案的最下表面。

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