公开(公告)号：CN1655057B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200410102383.X

申请日：2004-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟辰 ,  张银珠 ,  田信爱 ,  安傣琼 ,  李晟熏

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/00

CPC classification number: C08F2/28 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/0047 ,  G03F7/027 ,  H01L51/426 ,  H01L51/502 ,  Y02E10/549 ,  Y10S428/917 ,  Y10S977/773 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2998 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31663

Abstract: 提供了与包含光敏功能基团表面配位的半导体纳米晶、包括半导体纳米晶的光敏组合物、和一种通过使用光敏的半导体纳米晶或光敏组合物制造膜，曝光所述膜并显影所述曝光膜来形成半导体纳米晶图案的方法。半导体纳米晶图案与半导体纳米晶在图案形成之前相比，显示出发光特性并且可以很有用地应用于有机-无机混合电致发光装置中。

公开(公告)号：CN1655057A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200410102383.X

申请日：2004-10-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟辰 ,  张银珠 ,  田信爱 ,  安傣琼 ,  李晟熏

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/00

CPC classification number: C08F2/28 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/0047 ,  G03F7/027 ,  H01L51/426 ,  H01L51/502 ,  Y02E10/549 ,  Y10S428/917 ,  Y10S977/773 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2998 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31663

Abstract: 提供了与包含光敏功能基团表面配位的半导体纳米晶、包括半导体纳米晶的光敏组合物、和一种通过使用光敏的半导体纳米晶或光敏组合物制造膜，曝光所述膜并显影所述曝光膜来形成半导体纳米晶图案的方法。半导体纳米晶图案与半导体纳米晶在图案形成之前相比，显示出发光特性并且可以很有用地应用于有机－无机混合电致发光装置中。