公开(公告)号：CN117954443A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202310945314.8

申请日：2023-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜敬奂 ,  金正民 ,  安兴培

IPC: H01L27/02 ,  G03F7/20 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/048 ,  G06N3/084 ,  G06N20/00 ,  G06N5/01

Abstract: 一种校正用于半导体工艺的布局的方法，包括：接收包括用于半导体工艺的布局图案的设计布局，以形成半导体器件的工艺图案，其中，设计布局包括与布局图案相关联的基于像素的图像和与布局图案相关联的边缘信息；使用将基于像素的图像作为输入的第一机器学习模型对设计布局执行第一布局校正操作；使用将边缘信息作为输入的与第一机器学习模型不同的第二机器学习模型对设计布局执行第二布局校正操作；以及基于第一布局校正操作的结果和第二布局校正操作的结果，获得包括与布局图案相对应的校正后的布局图案的校正后的设计布局。

公开(公告)号：CN117015237A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310419987.X

申请日：2023-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙完基 ,  姜敬奂 ,  裵圣贤

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：衬底，在彼此交叉的第一方向和第二方向中的每个方向上延伸；以及存储图案，设置在衬底上，并且在第一方向和第二方向中的每个方向上彼此间隔开。每个存储图案在与由第一方向和第二方向限定的平面相交的第三方向上延伸，并且包括与存储接触当中的相应的存储接触相接触的面。每个存储图案的面具有沿着第一方向的第一宽度和沿着第二方向的第二宽度。存储图案的面的第一宽度在第一方向上相对于彼此增大，而相邻的存储图案之间的在第一方向上的间隔在第一方向上相对于彼此减小。