公开(公告)号：CN114078862A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110785462.9

申请日：2021-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圣勋 ,  李秉一 ,  姜宝锡 ,  李俊熙

IPC: H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种半导体装置和包括其的数据存储系统。半导体装置包括外围电路结构和存储单元结构，外围电路结构包括第一衬底和位于第一衬底上的电路元件，存储单元结构包括：第二衬底，位于第一衬底上；第一水平导电层，位于第二衬底上；第二水平导电层，位于第一水平导电层上；栅电极，彼此间隔开并且堆叠在第二水平导电层上；沟道结构，穿过栅电极；以及分隔区域，穿过栅电极、延伸并且彼此间隔开。半导体装置具有贯穿布线区域，贯穿布线区域包括将存储单元结构和外围电路结构电连接的贯穿接触插塞，分隔区域包括相邻于贯穿接触插塞的第一分隔区域，并且第一分隔区域穿过第二水平导电层并且与第一水平导电层间隔开。

公开(公告)号：CN115802757A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211093453.4

申请日：2022-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜宝锡 ,  李俊熙 ,  郑圣勋

IPC: H10B43/20 ,  H10B41/20

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括其的数据存储系统。一种半导体器件包括：具有第一区域和第二区域的基板；栅电极，在垂直于基板的上表面的第一方向上彼此间隔开，在第二方向上延伸，并在第二区域上具有不同的长度；沟道结构，穿透栅电极，在第一方向上延伸并分别包括沟道层，沟道结构在第一区域上；支撑结构，穿透栅电极并在第二区域上在第一方向上延伸；以及分隔区，穿透栅电极并在第二方向上延伸。基板具有凹陷区域，该凹陷区域在第一方向上与分隔区重叠并在第二区域的与第一区域相邻的部分中从基板的上表面向下延伸。分隔区具有向下突出以对应于凹陷区域的突起。

公开(公告)号：CN113257833A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202011446347.0

申请日：2020-12-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圣勋 ,  李秉一 ,  姜宝锡

IPC: H01L27/11582

Abstract: 提供了三维非易失性存储器装置及其制造方法。该三维非易失性存储器装置包括：基板，其包括单元区域和具有阶梯结构的延伸区域；垂直结构，其在基板上；堆叠结构，其在基板上具有电极层和层间绝缘层；隔离绝缘层，其在基板上并隔离开电极层；以及通孔布线区域，其与单元区域或延伸区域相邻并具有穿过基板的通孔，其中，单元区域包括其中布置有正常单元的主单元区域和边缘单元区域，隔离绝缘层包括在主单元区域中的主隔离绝缘层和在边缘单元区域中的边缘隔离绝缘层，并且主隔离绝缘层的下表面高于基板的上表面并具有与边缘隔离绝缘层的下表面不同的深度。