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发明公开
晶体管和包括晶体管的半导体存储器件审中-公开

公开(公告)号：CN119604023A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411149955.3

申请日：2024-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李世薰 , 林濬熙 , 吴浚硕 , 张盛弼

IPC: H10D84/83 , H10D30/60 , H10B43/27 , H10B43/40

Abstract: 公开了一种晶体管和包括晶体管的半导体存储器件。所述晶体管包括：衬底，所述衬底包括有源区；所述衬底中的元件隔离膜，所述元件隔离膜限定了所述有源区；位于所述元件隔离膜的下表面上的第一杂质区；位于所述衬底中的第二杂质区；位于所述衬底上并且在第一方向上延伸的栅电极；位于所述栅电极的至少一侧上的源极/漏极区域；位于所述源极/漏极区域上的第一源极/漏极接触组；以及位于所述源极/漏极区域上并且在所述第一方向上与所述第一源极/漏极接触组间隔开的第二源极/漏极接触组，其中所述第二杂质区位于所述第一源极/漏极接触组与所述第二源极/漏极接触组之间。

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