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发明公开
半导体器件审中-公开

公开(公告)号：CN118039647A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202310747864.9

申请日：2023-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴多龙 , 金昊俊 , 金知雄

IPC: H01L27/092 , H01L23/528 , H01L23/48 , H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源图案；沟道图案和源极/漏极图案，所述沟道图案和所述源极/漏极图案位于所述有源图案上，所述源极/漏极图案连接到所述沟道图案；栅电极，所述栅电极位于所述沟道图案上；有源接触，所述有源接触位于所述源极/漏极图案上；上接触，所述上接触与所述有源接触相邻并且延伸到所述衬底中；下电力互连线，所述下电力互连线掩埋在所述衬底中；以及电力输送网络层，所述电力输送网络层位于所述衬底的底表面上，其中，所述下电力互连线包括连接到所述上接触的连接部分，并且所述上接触的下部突出到所述连接部分中。

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