公开(公告)号：CN1665033A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200510053008.5

申请日：2005-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳政澔 ,  南丁铉 ,  卢宰燮

IPC: H01L27/148 ,  H01L21/822 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14806

Abstract: 一种用于电荷耦合器件(CCD)的偏置电路，包括：一个或多个晶体管和一个非易失性存储单元，它们串联连接在第一电势节点和第二电势节点之间，并且被配置为在所述非易失性存储器和所述一个或多个晶体管之一之间的一个节点上产生偏压。所述一个或多个晶体管可以包括：在所述非易失性存储单元的第一端和所述第一电势节点之间串联耦合的一个或多个晶体管；在所述非易失性存储单元的第二端和所述第二电势节点之间串联耦合的一个或多个晶体管。所述非易失性存储单元可以包括快闪存储单元，例如叠层栅型快闪存储单元和/或分割栅型快闪存储单元。

公开(公告)号：CN1798272A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510003493.5

申请日：2005-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢宰燮 ,  南丁铉

IPC: H04N5/335 ,  H04N3/15

Abstract: 提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。该CMOS图像传感器包括具有矩阵型单位像素阵列的像素阵列单元，每个单位像素包括将在光电转换元件中收集的电荷传送给电荷检测元件的电荷传送元件。电荷传送元件还接收比外部电源电压高的升压信号。

公开(公告)号：CN1798272B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200510003493.5

申请日：2005-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢宰燮 ,  南丁铉

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/359 ,  H04N5/369 ,  H01L27/146

Abstract: 提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。该CMOS图像传感器包括具有矩阵型单位像素阵列的像素阵列单元，每个单位像素包括将在光电转换元件中收集的电荷传送给电荷检测元件的电荷传送元件。电荷传送元件还接收比外部电源电压高的升压信号。

公开(公告)号：CN100466284C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200510053008.5

申请日：2005-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳政澔 ,  南丁铉 ,  卢宰燮

IPC: H01L27/148 ,  H01L21/822 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14806

Abstract: 一种用于电荷耦合器件(CCD)的偏置电路，包括：一个或多个晶体管和一个非易失性存储单元，它们串联连接在第一电势节点和第二电势节点之间，并且被配置为在所述非易失性存储单元和所述一个或多个晶体管之一之间的一个节点上产生偏压。所述一个或多个晶体管可以包括：在所述非易失性存储单元的第一端和所述第一电势节点之间串联耦合的一个或多个晶体管；在所述非易失性存储单元的第二端和所述第二电势节点之间串联耦合的一个或多个晶体管。所述非易失性存储单元可以包括快闪存储单元，例如叠层栅型快闪存储单元和/或分割栅型快闪存储单元。

公开(公告)号：CN1674297A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200410099771.7

申请日：2004-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢宰燮 ,  李德炯 ,  南丁铉 ,  柳政澔 ,  金利泰 ,  孔海庆

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

Abstract: 一种用于将信号电荷转换成电压的信号转换器，包括用于接收信号电荷的第一级的第一驱动器FET。后续驱动器FET连接到第一驱动器FET的输出端，且减少了后续驱动器FET的栅极电介质厚度。后续驱动器FET用于第二级或用于第三级。后续驱动器FET的栅极电介质厚度的减少增加了电压增益AVtotal，而不会降低电荷转移效率，因此增强了信号转换器的整体灵敏度。