公开(公告)号：CN101174636A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710153194.9

申请日：2007-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李龙圭 ,  金荣浩 ,  千明照 ,  韩晶昱 ,  田喜锡

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  G11C16/02 ,  G11C16/10 ,  G11C16/08

CPC classification number: G11C16/0433 ,  G11C8/10 ,  G11C16/08 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11534

Abstract: 一种非易失性集成电路存储设备可以包括具有相同传导类型的第一电隔离阱和第二电隔离阱的半导体衬底。可以在第一阱上提供第一多个非易失性存储单元晶体管，并且可以在第二阱上提供第二多个非易失性存储单元晶体管。局部控制栅极线可以与第一多个非易失性存储单元晶体管和第二多个非易失性存储单元晶体管电耦接，并且组选择晶体管可以电耦接在局部控制栅极线和全局控制栅极线之间。更具体地说，组选择晶体管可被配置为响应于施加到该组选择晶体管栅极的组选择栅极信号而将局部控制栅极线和全局控制栅极线耦接和断开。还讨论了相关的方法和系统。