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发明公开
三维半导体存储器件以及包括该三维半导体存储器件的电子系统

公开(公告)号：CN119173037A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202410163531.6

申请日：2024-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑光泳 , 沈善一 , 李昇埈 , 林周炫 , 全裕陈

IPC: H10B41/41 , H10B41/27 , H10B41/50 , H10B43/40 , H10B43/50 , H10B43/27

Abstract: 一种三维半导体存储器件可以包括：外围衬底上的外围电路结构；外围电路结构上的单元阵列结构，该单元阵列结构包括单元阵列区域和外部区域；单元阵列区域上的源极结构；外部区域上的基底图案；单元竖直结构，在单元阵列区域中延伸到单元阵列结构中，并且电连接到源极结构；外部竖直结构，在外部区域中延伸到单元阵列结构中；以及填充图案，从外部竖直结构延伸并且延伸到基底图案中。填充图案限定空隙，单元竖直结构的顶端距外围衬底第一距离，并且源极结构的顶表面距外围衬底第二距离。

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