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公开(公告)号:CN114077391A
公开(公告)日:2022-02-22
申请号:CN202110614630.8
申请日:2021-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了执行盖写的存储系统、所述存储系统的控制器及所述存储系统的操作方法。所述存储系统包括存储器件;和控制器,所述控制器被配置为:从所述主机系统接收新数据和盖写请求,其中,所述盖写请求包括用于旧数据的第一逻辑地址和用于所述新数据的与所述第一逻辑地址不同的第二逻辑地址;以及响应于所述盖写请求,通过将对应于所述第二逻辑地址的所述新数据写入所述存储器件并使对应于所述第一逻辑地址的所述旧数据无效来执行盖写操作。
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公开(公告)号:CN112948280A
公开(公告)日:2021-06-11
申请号:CN202011178478.5
申请日:2020-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0802 , G06F12/0882 , G06F12/1009
Abstract: 提供了一种存储装置及操作其的方法和管理存储装置中的数据的方法。所述存储装置包括多个非易失性存储器芯片,每个非易失性存储器芯片包括多个页。从外部主机装置接收第一数据对象。第一数据对象具有不固定的大小,并且对应于作为单个地址的第一逻辑地址。基于确定不可将第一数据存储在所述多个页中的单个页中,基于至少一个选择参数来设置用于第一数据对象的缓冲策略。在对第一数据对象的第一逻辑地址和存储有第一数据对象的页的第一物理地址进行映射的同时,存储第一缓冲方向与映射结果,第一缓冲方向表示用于第一数据对象的缓冲策略。
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公开(公告)号:CN112948280B
公开(公告)日:2024-07-16
申请号:CN202011178478.5
申请日:2020-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/0802 , G06F12/0882 , G06F12/1009
Abstract: 提供了一种存储装置及操作其的方法和管理存储装置中的数据的方法。所述存储装置包括多个非易失性存储器芯片,每个非易失性存储器芯片包括多个页。从外部主机装置接收第一数据对象。第一数据对象具有不固定的大小,并且对应于作为单个地址的第一逻辑地址。基于确定不可将第一数据存储在所述多个页中的单个页中,基于至少一个选择参数来设置用于第一数据对象的缓冲策略。在对第一数据对象的第一逻辑地址和存储有第一数据对象的页的第一物理地址进行映射的同时,存储第一缓冲方向与映射结果,第一缓冲方向表示用于第一数据对象的缓冲策略。
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公开(公告)号:CN110187826B
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN201910006958.4
申请日:2019-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 键‑值存储设备包括非易失性存储器设备和存储器控制器。非易失性存储器设备存储值、被参考以标识该值的键、以及基于该值的擦除操作而更改的键寿命数据;存储器控制器从主机接收指示擦除与键相对应的值的擦除命令、响应于该擦除命令生成大小小于键大小的哈希数据,并且向主机发送完成消息。存储器控制器基于哈希数据访问存储在非易失性存储器设备中的键和键寿命数据,并且在发送完成消息之后的空闲时间段内,基于所访问的键和所访问的键寿命数据擦除值。
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公开(公告)号:CN109521948A
公开(公告)日:2019-03-26
申请号:CN201810840685.9
申请日:2018-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种操作键值存储设备的方法,包括:键值存储设备从主机接收包括第一键、第一值和第一快照标识(ID)的第一命令;响应于接收到的第一命令,所述键值存储设备生成包括第一快照ID、第一键和在非易失性存储器中写入所述第一值的第一物理地址的第一快照条目;从主机接收包括第一键、第二值和第二快照ID的第二命令;并且响应于接收到的第二命令,键值存储设备生成包括第二快照ID、第一键和在非易失性存储器中写入所述第二值的第二物理地址的第二快照条目。
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公开(公告)号:CN114764402A
公开(公告)日:2022-07-19
申请号:CN202210020275.6
申请日:2022-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种计算系统,包括:储存系统,被配置为存储数据;以及主机,被配置为压缩加载到存储器的预设尺寸的数据块,通过合并对应于数据块的压缩块、引用数据块的节点块的标识符和指示由节点块引用的至少一个数据块当中的数据块的索引的偏移来生成预设尺寸的合并块,并将合并块提供给储存系统。
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公开(公告)号:CN110187826A
公开(公告)日:2019-08-30
申请号:CN201910006958.4
申请日:2019-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 键-值存储设备包括非易失性存储器设备和存储器控制器。非易失性存储器设备存储值、被参考以标识该值的键、以及基于该值的擦除操作而更改的键寿命数据;存储器控制器从主机接收指示擦除与键相对应的值的擦除命令、响应于该擦除命令生成大小小于键大小的哈希数据,并且向主机发送完成消息。存储器控制器基于哈希数据访问存储在非易失性存储器设备中的键和键寿命数据,并且在发送完成消息之后的空闲时间段内,基于所访问的键和所访问的键寿命数据擦除值。
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公开(公告)号:CN119002803A
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN202410988792.1
申请日:2019-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储设备及其操作方法。提供了键‑值存储设备及其操作方法。键‑值存储设备包括非易失性存储器设备和存储器控制器。非易失性存储器设备存储值、被参考以标识该值的键、以及基于该值的擦除操作而更改的键寿命数据;存储器控制器从主机接收指示擦除与键相对应的值的擦除命令、响应于该擦除命令生成大小小于键大小的哈希数据,并且向主机发送完成消息。存储器控制器基于哈希数据访问存储在非易失性存储器设备中的键和键寿命数据,并且在发送完成消息之后的空闲时间段内,基于所访问的键和所访问的键寿命数据擦除值。
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