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公开(公告)号：CN109559980B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201811123457.6
申请日：2018-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 提供了一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：在基板上形成包括化学增强聚合物的可显影底部抗反射涂覆层；在所述可显影底部抗反射涂覆层上形成包括非化学增强树脂和光酸产生剂的光致抗蚀剂层；通过曝光所述第一区域，在选自所述光致抗蚀剂层的第一区域中从所述光酸产生剂产生酸；将所述曝光的第一区域中的酸扩散到所述可显影底部抗反射涂覆层的第一可显影底部抗反射涂覆区域中，所述第一可显影底部抗反射涂覆区域面向所述第一区域；以及通过将所述光致抗蚀剂层和所述可显影底部抗反射涂覆层显影来去除所述第一区域和所述第一可显影底部抗反射涂覆区域。
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公开(公告)号：CN109581810A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811093301.8
申请日：2018-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了包含等离子体光吸收剂的光刻胶组合物和使用该光刻胶组合物制造半导体器件的方法。光刻胶组合物可以包含可显影的聚合物、光致生酸剂、等离子体光吸收剂和有机溶剂。等离子体光吸收剂可以对用于光刻图案化过程的光(例如紫外光)较有透过性，所述光刻图案化过程用以将由光刻胶组合物形成的层图案化，并且对在后续刻蚀过程中产生的光(如由等离子体产生的光)较有吸收性。当形成半导体器件时，图案化的光刻胶层可以被更精确地产生并且可以更好地保持在用于刻蚀半导体器件的多个目标层时所需的性能。
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公开(公告)号：CN109581810B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201811093301.8
申请日：2018-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了包含等离子体光吸收剂的光刻胶组合物和使用该光刻胶组合物制造半导体器件的方法。光刻胶组合物可以包含可显影的聚合物、光致生酸剂、等离子体光吸收剂和有机溶剂。等离子体光吸收剂可以对用于光刻图案化过程的光(例如紫外光)较有透过性，所述光刻图案化过程用以将由光刻胶组合物形成的层图案化，并且对在后续刻蚀过程中产生的光(如由等离子体产生的光)较有吸收性。当形成半导体器件时，图案化的光刻胶层可以被更精确地产生并且可以更好地保持在用于刻蚀半导体器件的多个目标层时所需的性能。
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公开(公告)号：CN109559980A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811123457.6
申请日：2018-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 提供了一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：在基板上形成包括化学增强聚合物的可显影底部抗反射涂覆层；在所述可显影底部抗反射涂覆层上形成包括非化学增强树脂和光酸产生剂的光致抗蚀剂层；通过曝光所述第一区域，在选自所述光致抗蚀剂层的第一区域中从所述光酸产生剂产生酸；将所述曝光的第一区域中的酸扩散到所述可显影底部抗反射涂覆层的第一可显影底部抗反射涂覆区域中，所述第一可显影底部抗反射涂覆区域面向所述第一区域；以及通过将所述光致抗蚀剂层和所述可显影底部抗反射涂覆层显影来去除所述第一区域和所述第一可显影底部抗反射涂覆区域。
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