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发明公开
包括多桥沟道场效应晶体管的半导体器件审中-公开

公开(公告)号：CN119521760A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202410342405.7

申请日：2024-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛宗珉 , 申宪宗 , 朴葰颖 , 张在兰 , 李上羲 , 克尔姆·里姆 , 韩成奎

IPC: H10D84/83 , H10D84/03

Abstract: 一种半导体器件，包括：下层间绝缘层；第一有源图案和第二有源图案，在下层间绝缘层上；栅电极，在第一有源图案和第二有源图案上；第一源区，在栅电极的第一侧上；第二源区，在栅电极的第二侧上；第三源区，在栅电极的第一侧上；漏区，在栅电极的第二侧上；第一接触部，与栅电极相邻，并且连接到第一源区和第三源区；第二接触部，与栅电极相邻，并且连接到第二源区；第三接触部，与栅电极相邻，并且连接到漏区；下布线层，在下层间绝缘层内部；以及通孔，将下布线层和第一接触部连接。

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