公开(公告)号：CN118693088A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410107207.2

申请日：2024-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珍雨 ,  钱钰博 ,  姜铉在 ,  金庆燮 ,  金秀泰 ,  朴载镛 ,  丁全圆

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种集成电路器件。所述集成电路器件包括设置在基底上的第一导电图案、围绕第一导电图案的一部分并覆盖第一导电图案的侧壁的下部的第二导电图案、在第一导电图案和第二导电图案上的上绝缘结构、以及穿透上绝缘结构并在竖直方向上延伸的上导电图案，其中，上导电图案包括主插塞部分和竖直延伸件，主插塞部分在竖直方向上与第一导电图案和第二导电图案叠置，竖直延伸件从主插塞部分的一部分朝向基底延伸，覆盖第一导电图案的上侧壁的上部，并且在竖直方向上与第二导电图案叠置，虚设接触件形成在基底上的单扩散间断区域上。

公开(公告)号：CN119153467A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202410765115.3

申请日：2024-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁全圆 ,  钱钰博 ,  金秀泰 ,  朴载镛 ,  李珍雨

IPC: H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，该衬底包括标准单元区域和至少部分地围绕标准单元区域的端接单元区域；第一有源图案，在标准单元区域中；第一布线，在第一方向上延伸并且在第一有源图案上；第一栅电极，在第二方向上延伸并且在第一有源图案上；第一栅极接触部；第二有源图案，在端接单元区域中；第二布线，在第一方向上延伸并且在第二有源图案上；第二栅电极，在第二方向上延伸并且在第二有源图案上；以及第二栅极接触部。