公开(公告)号：CN1381900A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN01134756.2

申请日：2001-11-09

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 山本诚 ,  岩渕昭夫

IPC: H01L29/735 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/6625 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/36 ,  H01L29/735

Abstract: 横向pnp晶体管包括一个p型的半导体衬底,位于半导体衬底上的n型第一掩埋层,位于第一掩埋层的n型均匀基区,位于均匀基区内的n型第一隔离层,位于均匀基区内部和上表面上的p型第一发射区和第一集电区,位于均匀基区内的分级基区以及位于第一隔离层内的第一基极接触层。分级基区包围了第一主电极区的底部和侧面。介于第一发射区和第一集电区之间的分级基区的掺杂分布是杂质浓度从第一主电极区向第二主电极区逐渐减小。

公开(公告)号：CN1172377C

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN01134756.2

申请日：2001-11-09

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 山本诚 ,  岩渕昭夫

IPC: H01L29/735 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/6625 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/36 ,  H01L29/735

Abstract: 横向pnp晶体管包括一个p型的半导体衬底，位于半导体衬底上的n型第一掩埋层，位于第一掩埋层的n型均匀基区，位于均匀基区内的n型第一隔离层，位于均匀基区内部和上表面上的p型第一发射区和第一集电区，位于均匀基区内的分级基区以及位于第一隔离层内的第一基极接触层。分级基区包围了第一主电极区的底部和侧面。介于第一发射区和第一集电区之间的分级基区的掺杂分布是杂质浓度从第一主电极区向第二主电极区逐渐减小。