公开(公告)号：CN115004108A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180009908.7

申请日：2021-02-16

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 大久保敦 ,  高村一夫 ,  石川比佐子 ,  小野阳介 ,  藤井泰久 ,  吉川弥 ,  松本信子 ,  出口朋枝

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置、半导体装置的制造方法以及防护膜组件的制造方法，所述防护膜包含碳纳米管，所述碳纳米管至少在表面层侧含有碳的至少一部分被硅取代的碳化硅层。

公开(公告)号：CN109313385A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780035395.0

申请日：2017-06-20

Applicant: 三井化学株式会社

Inventor： 大久保敦 ,  小野阳介 ,  高村一夫 ,  藤井泰久 ,  吉川弥

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供尘埃等的附着降低了的EUV用防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法。本发明提供防护膜组件的制造方法，在基板(200)上形成防护膜(202)，在上述基板的与形成有上述防护膜的面相反侧的面上形成金属的掩模(204)，从上述金属掩模侧除去上述基板的一部分，除去上述金属掩模。根据本发明的一个实施方式，本发明能够提供尘埃等的附着降低了的EUV用防护膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法。