- 专利标题： Oxide semiconductor substrate and schottky barrier diode
-
申请号： US14912815申请日： 2014-08-08
-
公开(公告)号： US09691910B2公开(公告)日： 2017-06-27
- 发明人: Shigekazu Tomai , Masatoshi Shibata , Emi Kawashima , Koki Yano , Hiromi Hayasaka
- 申请人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
- 当前专利权人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Foley & Lardner LLP
- 优先权： JP2013-169966 20130819
- 国际申请： PCT/JP2014/004153 WO 20140808
- 国际公布： WO2015/025499 WO 20150226
- 主分类号： H01L29/00
- IPC分类号： H01L29/00 ; H01L29/872 ; H01L29/861 ; H01L29/47 ; H01L29/26 ; H01L29/04 ; H01L29/24
摘要：
A schottky barrier diode element having a silicon (Si) substrate, an oxide semiconductor layer and a schottky electrode layer, wherein the oxide semiconductor layer includes a polycrystalline and/or amorphous oxide semiconductor having a band gap of 3.0 eV or more and 5.6 eV or less.
公开/授权文献
- US20160197202A1 OXIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SCHOTTKY BARRIER DIODE 公开/授权日：2016-07-07
信息查询
IPC分类:
