发明授权
US09385196B2 Fast switching IGBT with embedded emitter shorting contacts and method for making same
有权
具有嵌入式发射极短路触点的快速开关IGBT及其制造方法
- 专利标题： Fast switching IGBT with embedded emitter shorting contacts and method for making same
- 专利标题（中）： 具有嵌入式发射极短路触点的快速开关IGBT及其制造方法
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申请号： US13611653申请日： 2012-09-12
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公开(公告)号： US09385196B2公开(公告)日： 2016-07-05
- 发明人: Jacek Korec , John Manning Savidge Neilson , Sameer Pendharkar
- 申请人： Jacek Korec , John Manning Savidge Neilson , Sameer Pendharkar
- 申请人地址： US TX Dallas
- 专利权人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- 当前专利权人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- 当前专利权人地址： US TX Dallas
- 代理商 Jacqueline J. Garner; Frank D. Cimino
- 主分类号： H01L29/739
- IPC分类号： H01L29/739 ; H01L21/331 ; H01L29/08 ; H01L29/66
摘要：
Integrated circuits are presented having high voltage IGBTs with integral emitter shorts and fabrication processes using wafer bonding or gown epitaxial silicon for controlled drift region thickness and fast switching speed.
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