发明授权
- 专利标题： Enhancement mode device
- 专利标题（中）： 增强模式设备
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申请号： US14165785申请日： 2014-01-28
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公开(公告)号： US09281413B2公开(公告)日： 2016-03-08
- 发明人: Matthias Strassburg , Gerhard Prechtl
- 申请人： Infineon Technologies Austria AG
- 申请人地址： AT Villach
- 专利权人： Infineon Technologies Austria AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies Austria AG
- 当前专利权人地址： AT Villach
- 代理机构： Murphy, Bilak & Homiller, PLLC
- 主分类号： H01L29/788
- IPC分类号： H01L29/788 ; H01L29/16 ; H01L29/205 ; H01L29/423 ; H01L29/51 ; H01L29/778 ; H01L29/20
摘要：
An enhancement mode device includes a floating gate structure. The floating gate structure includes a first bottom dielectric layer, a second bottom dielectric layer on the first bottom dielectric layer and a conductive floating gate on the second bottom dielectric layer.
公开/授权文献
- US20150214352A1 Enhancement Mode Device 公开/授权日：2015-07-30
信息查询
IPC分类:
