发明授权
US09163307B2 Three-dimensional photoresists via functionalization of polymer thin films fabricated by iCVD
有权
通过iCVD制造的聚合物薄膜的功能化的三维光致抗蚀剂
- 专利标题： Three-dimensional photoresists via functionalization of polymer thin films fabricated by iCVD
- 专利标题（中）： 通过iCVD制造的聚合物薄膜的功能化的三维光致抗蚀剂
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申请号： US13792639申请日： 2013-03-11
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公开(公告)号： US09163307B2公开(公告)日： 2015-10-20
- 发明人: Karen K. Gleason , Christy D. Petruczok
- 申请人： Massachusetts Institute of Technology
- 申请人地址： US MA Cambridge
- 专利权人： Massachusetts Institute of Technology
- 当前专利权人： Massachusetts Institute of Technology
- 当前专利权人地址： US MA Cambridge
- 代理机构： Foley Hoag LLP
- 主分类号： C08J7/06
- IPC分类号： C08J7/06 ; C23C16/04 ; G03F7/025 ; G03F7/09 ; G03F7/20 ; G03F7/24 ; C08J7/18 ; C08F2/46
摘要：
Disclosed are simple, efficient, and scalable methods of patterning polymeric or metallic microstructures on planar or non-planar surfaces. The methods utilize initiated chemical vapor deposition (iCVD) technology. Also disclosed are patterned articles produced by these methods, and methods of using the articles.
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