发明授权
- 专利标题： Sputtering target, method for forming amorphous oxide thin film using the same, and method for manufacturing thin film transistor
- 专利标题（中）： 溅射靶，使用其形成非晶氧化物薄膜的方法以及薄膜晶体管的制造方法
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申请号： US13870847申请日： 2013-04-25
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公开(公告)号： US09136338B2公开(公告)日： 2015-09-15
- 发明人: Koki Yano , Hirokazu Kawashima , Kazuyoshi Inoue
- 申请人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
- 当前专利权人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Oblon, McClelland, Maier & Neustadt, L.L.P.
- 优先权： JP2008-134731 20080522
- 主分类号： H01L29/24
- IPC分类号： H01L29/24 ; B82Y30/00 ; C04B35/26 ; C04B35/44 ; C04B35/453 ; C04B35/645 ; C23C14/08 ; C23C14/34 ; H01L21/02 ; H01L29/786 ; H01L29/66
摘要：
Disclosed is a sputtering target having a good appearance, which is free from white spots on the surface. The sputtering target is characterized by being composed of an oxide sintered body containing two or more kinds of homologous crystal structures.
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