发明授权
- 专利标题： Program-disturb management for phase change memory
- 专利标题（中）： 相变存储器的程序干扰管理
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申请号： US13474609申请日： 2012-05-17
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公开(公告)号： US08910000B2公开(公告)日： 2014-12-09
- 发明人: Ferdinando Bedeschi
- 申请人： Ferdinando Bedeschi
- 申请人地址： US ID Boise
- 专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人地址： US ID Boise
- 代理机构： Knobbe, Martens, Olson & Bear LLP
- 主分类号： G11C29/00
- IPC分类号： G11C29/00 ; G06F11/00 ; G11C16/34 ; G11C13/00
摘要：
Subject matter disclosed herein relates to a memory device, and more particularly to read or write performance of a phase change memory.
公开/授权文献
- US20130311837A1 PROGRAM-DISTURB MANAGEMENT FOR PHASE CHANGE MEMORY 公开/授权日：2013-11-21
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