发明授权
- 专利标题： Multifunctional zinc oxide nano-structure-based circuit building blocks for re-configurable electronics and optoelectronics
- 专利标题（中）： 用于可重新配置电子和光电子的多功能氧化锌纳米结构电路构建块
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申请号： US13781915申请日： 2013-03-01
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公开(公告)号： US08884285B2公开(公告)日： 2014-11-11
- 发明人: Yicheng Lu , Yang Zhang , Chieh-Jen Ku
- 申请人： Yicheng Lu , Yang Zhang , Chieh-Jen Ku
- 申请人地址： US NJ New Brunswick
- 专利权人： Rutgers, The State University of New Jersey
- 当前专利权人： Rutgers, The State University of New Jersey
- 当前专利权人地址： US NJ New Brunswick
- 代理机构： Fox Rothschild LLP
- 主分类号： H01L29/10
- IPC分类号： H01L29/10 ; H01L27/24 ; H01L45/00
摘要：
A vertically integrated reconfigurable and programmable diode/memory resistor (1D1R) and thin film transistor/memory resistor (1T1R) structures built on substrates are disclosed.
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