发明授权
US08877655B2 Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
有权
使用激发氮氧物质的金属氧化物薄膜沉积的系统和方法
- 专利标题： Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
- 专利标题（中）： 使用激发氮氧物质的金属氧化物薄膜沉积的系统和方法
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申请号： US13102980申请日： 2011-05-06
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公开(公告)号： US08877655B2公开(公告)日： 2014-11-04
- 发明人: Eric J. Shero , Petri I. Raisanen , Sung-Hoon Jung , Chang-Gong Wang
- 申请人： Eric J. Shero , Petri I. Raisanen , Sung-Hoon Jung , Chang-Gong Wang
- 申请人地址： US AZ Phoenix
- 专利权人： ASM America, Inc.
- 当前专利权人： ASM America, Inc.
- 当前专利权人地址： US AZ Phoenix
- 代理机构： Snell & Wilmer LLP
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; H01L21/469 ; H01L21/00 ; C23C16/40 ; C23C16/30 ; H01L21/02 ; H01L29/51 ; C23C16/455 ; H01L21/28 ; H01L29/78
摘要：
The present invention relates to a process and system for depositing a thin film onto a substrate. One aspect of the invention is depositing a thin film metal oxide layer using atomic layer deposition (ALD).
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