发明授权
- 专利标题： Formation of a zinc passivation layer on titanium or titanium alloys used in semiconductor processing
- 专利标题（中）： 在半导体加工中使用的钛或钛合金上形成锌钝化层
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申请号： US13335011申请日： 2011-12-22
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公开(公告)号： US08859427B2公开(公告)日： 2014-10-14
- 发明人: Bob Kong , Tony Chiang , Chi-I Lang , Zhi-Wen Sun , Jinhong Tong
- 申请人： Bob Kong , Tony Chiang , Chi-I Lang , Zhi-Wen Sun , Jinhong Tong
- 申请人地址： US CA San Jose
- 专利权人： Intermolecular, Inc.
- 当前专利权人： Intermolecular, Inc.
- 当前专利权人地址： US CA San Jose
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302 ; C23C18/54 ; H01L21/288 ; H01L21/768 ; H01L21/02 ; C23C18/16
摘要：
Embodiments of the current invention describe methods of processing a semiconductor substrate that include applying a zincating solution to the semiconductor substrate to form a zinc passivation layer on the titanium-containing layer, the zincating solution comprising a zinc salt, FeCl3, and a pH adjuster.
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