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Invention Grant
US08796803B2 Image sensors and methods of forming the same 有权
图像传感器及其形成方法

Image sensors and methods of forming the same
Abstract:
The inventive concept provides image sensors and methods of forming the same. In the image sensor, a surface trap region may be disposed to be adjacent to a surface of a substrate lens component. Thus, a dark current characteristic may be improved.
Abstract(Chinese):

本发明构思提供了图像传感器及其形成方法。 在图像传感器中，可以将表面捕获区域设置为与衬底透镜部件的表面相邻。 因此，可以提高暗电流特性。

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Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31/10 ..特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管
H01L31/101 ...对红外、可见或紫外辐射敏感的器件
H01L31/102 ....仅以一个势垒或面垒为特征的
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