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Invention Grant
US08741768B2 Method for reducing dielectric overetch when making contact to conductive features 有权
在与导电特征接触时减小介质过蚀刻的方法

  • Patent Title: Method for reducing dielectric overetch when making contact to conductive features
  • Patent Title (中): 在与导电特征接触时减小介质过蚀刻的方法
  • Application No.: US13938975
    Application Date: 2013-07-10
  • Publication No.: US08741768B2
    Publication Date: 2014-06-03
  • Inventor: Christopher J. Petti
  • Applicant: SanDisk 3D LLC
  • Applicant Address: US CA Milpitas
  • Assignee: SanDisk 3D LLC
  • Current Assignee: SanDisk 3D LLC
  • Current Assignee Address: US CA Milpitas
  • Agency: Dugan & Dugan, PC
  • Main IPC: H01L21/311
  • IPC: H01L21/311
Method for reducing dielectric overetch when making contact to conductive features
Abstract:
A method is provided that includes forming conductive or semiconductive features above a first dielectric material, depositing a second dielectric material above the conductive or semiconductive features, etching a void in the second dielectric material, wherein the etch stops on the first dielectric material, and exposing a portion of the conductive or semiconductive features. Numerous other aspects are provided.
Abstract(Chinese):

提供了一种方法，其包括在第一电介质材料之上形成导电或半导体特征，在导电或半导体特征之上沉积第二电介质材料，蚀刻第二电介质材料中的空隙，其中蚀刻停止在第一电介质材料上， 导电或半导体特征的一部分。 提供了许多其他方面。

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Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105 ......后处理
H01L21/311 .......绝缘层的刻蚀
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