发明授权
- 专利标题： Switch and method of forming the same
- 专利标题（中）： 开关及其形成方法
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申请号： US12533581申请日： 2009-07-31
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公开(公告)号： US08391057B2公开(公告)日： 2013-03-05
- 发明人: Min-Sang Kim , Ji-Myoung Lee , Hyun-Jun Bae , Dong-Won Kim , Jun Seo , Yong-Hyun Kwon , Weon-Wi Jang , Keun-Hwi Cho
- 申请人： Min-Sang Kim , Ji-Myoung Lee , Hyun-Jun Bae , Dong-Won Kim , Jun Seo , Yong-Hyun Kwon , Weon-Wi Jang , Keun-Hwi Cho
- 申请人地址： KR Suwon-Si, Gyeonggi-Do
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-Si, Gyeonggi-Do
- 代理机构： F. Chau & Associates, LLC.
- 优先权： KR2008-0121327 20081202
- 主分类号： G11C11/50
- IPC分类号： G11C11/50 ; H01L27/108
摘要：
A memory device includes a memory cell that includes a storage node, a first electrode, and a second electrode, the storage node stores an electrical charge, and the first electrode moves to connect to the storage node when the second electrode is energized.
公开/授权文献
- US20100135064A1 SWITCH AND METHOD OF FORMING THE SAME 公开/授权日：2010-06-03
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