发明授权
US08274818B2 Magnetoresistive element, magnetic memory cell and magnetic random access memory using the same
有权
磁阻元件，磁存储单元和使用其的磁性随机存取存储器
- 专利标题： Magnetoresistive element, magnetic memory cell and magnetic random access memory using the same
- 专利标题（中）： 磁阻元件，磁存储单元和使用其的磁性随机存取存储器
-
申请号： US12185983申请日： 2008-08-05
-
公开(公告)号： US08274818B2公开(公告)日： 2012-09-25
- 发明人: Hideo Ohno , Shoji Ikeda , Young Min Lee , Jun Hayakawa
- 申请人： Hideo Ohno , Shoji Ikeda , Young Min Lee , Jun Hayakawa
- 申请人地址： JP Miyagi JP Tokyo
- 专利权人： Tohoku University,Hitachi, Ltd.
- 当前专利权人： Tohoku University,Hitachi, Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Miyagi JP Tokyo
- 代理机构： Antonelli, Terry, Stout & Kraus, LLP.
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00
摘要：
Provided is a high-speed and ultra-low-power-consumption nonvolatile memory having a high temperature stability at a zero magnetic field. In a tunnel magnetoresistive film constituting a nonvolatile magnetic memory that employs a writing method using a spin-transfer torque, an insulating layer and a nonmagnetic conductive layer are stacked above a ferromagnetic free layer.
公开/授权文献
信息查询
