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发明授权
US08089155B2 High performance system-on-chip discrete components using post passivation process 有权
高性能片上分立器件采用后钝化工艺

  • 专利标题： High performance system-on-chip discrete components using post passivation process
  • 专利标题（中）： 高性能片上分立器件采用后钝化工艺
  • 申请号： US11062276
    申请日： 2005-02-18
  • 公开(公告)号： US08089155B2
    公开(公告)日： 2012-01-03
  • 发明人: Mou-Shiung Lin
  • 申请人： Mou-Shiung Lin
  • 申请人地址： TW Hsinchu
  • 专利权人： Megica Corporation
  • 当前专利权人： Megica Corporation
  • 当前专利权人地址： TW Hsinchu
  • 代理机构： McDermott Will & Emery LLP
  • 主分类号： H01L23/48
  • IPC分类号： H01L23/48
High performance system-on-chip discrete components using post passivation process
摘要：
A system and method for forming post passivation discrete components, is described. High quality discrete components are formed on a layer of passivation, or on a thick layer of polymer over a passivation layer.
摘要（中）：

描述了用于形成后钝化离散组件的系统和方法。 高质量的分立元件形成在钝化层上，或在钝化层上的厚层聚合物上形成。

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