发明授权
- 专利标题： Wiring structure, semiconductor device and manufacturing method thereof
- 专利标题（中）： 接线结构，半导体器件及其制造方法
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申请号： US11991939申请日： 2006-09-15
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公开(公告)号： US08039921B2公开(公告)日： 2011-10-18
- 发明人: Fuminori Ito , Yoshihiro Hayashi , Tsuneo Takeuchi
- 申请人： Fuminori Ito , Yoshihiro Hayashi , Tsuneo Takeuchi
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： NEC Corporation
- 当前专利权人： NEC Corporation
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： McGinn IP Law Group, PLLC
- 优先权： JP2005-270355 20050916; JP2006-198752 20060720
- 国际申请： PCT/JP2006/318799 WO 20060915
- 国际公布： WO2007/032563 WO 20070322
- 主分类号： H01L21/70
- IPC分类号： H01L21/70
摘要：
A semiconductor device with a high-strength porous modified layer having a pore size of 1 nm or less, which is formed, in a multilayer wiring forming process, by forming a via hole and a wiring trench in a via interlayer insulating film and a wiring interlayer insulting film and then irradiating an electron beam or an ultraviolet ray onto the opening side walls.
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