发明授权
- 专利标题： Floating gate device with graphite floating gate
- 专利标题（中）： 带石墨浮动门的浮闸装置
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申请号： US12131938申请日： 2008-06-03
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公开(公告)号： US07978504B2公开(公告)日： 2011-07-12
- 发明人: Ronald Kakoschke , Harald Seidl
- 申请人： Ronald Kakoschke , Harald Seidl
- 申请人地址： DE Neubiberg
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： DE Neubiberg
- 代理机构： Infineon Technologies
- 代理商 Philip H. Schlazer
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00
摘要：
One or more embodiments relate to a memory device, comprising: a substrate; a charge storage layer disposed over the substrate; and a control gate disposed over the charge storage layer, wherein the charge storage layer or the control gate layer comprises a carbon allotrope.
公开/授权文献
- US20090294832A1 Semiconductor Device 公开/授权日：2009-12-03
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