Alignment mark and alignment method for the fabrication of trench-capacitor dram devices

Invention Grant

US07419882B2 Alignment mark and alignment method for the fabrication of trench-capacitor dram devices 有权

Title translation: 用于制造沟槽电容器的对准标记和对准方法

Patent Title: Alignment mark and alignment method for the fabrication of trench-capacitor dram devices
Patent Title (中): 用于制造沟槽电容器的对准标记和对准方法
Application No.: US11160683

Application Date: 2005-07-05
Publication No.: US07419882B2

Publication Date: 2008-09-02
Inventor: Yuan-Hsun Wu , An-Hsiung Liu , Chiang-Lin Shih , Pei-Ing Lee , Hui-Min Mao , Lin-Chin Su
Applicant: Yuan-Hsun Wu , An-Hsiung Liu , Chiang-Lin Shih , Pei-Ing Lee , Hui-Min Mao , Lin-Chin Su
Applicant Address: TW Kueishan, Tao-Yuan Hsien
Assignee: Nanya Technology Corp.
Current Assignee: Nanya Technology Corp.
Current Assignee Address: TW Kueishan, Tao-Yuan Hsien
Agent Winston Hsu
Priority: TW94112415A 20050419
Main IPC: H01L21/20
IPC: H01L21/20

Abstract:

A small-size (w

Abstract(Chinese):

提出了与“k1工艺”结合的小尺寸（w <0.5微米）对准标记，其特别适用于需要高精度AA-DT对准的沟槽电容器DRAM器件的制造。利用“k1工艺”来蚀刻散布在对准标记沟槽中的多晶硅，并且在AA图案转印之前刷新沟槽轮廓，从而提高晶片对准精度和精度。

Public/Granted literature

Information query

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20	....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长