发明授权
- 专利标题： Densifying a relatively porous material
- 专利标题（中）： 致密化相对多孔的材料
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申请号： US11101688申请日： 2005-04-08
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公开(公告)号： US07071126B2公开(公告)日： 2006-07-04
- 发明人: Steven W. Johnston , Kevin P. O'Brien
- 申请人： Steven W. Johnston , Kevin P. O'Brien
- 申请人地址： US CA Santa Clara
- 专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人： Intel Corporation
- 当前专利权人地址： US CA Santa Clara
- 代理机构： Trop, Pruner & Hu, P.C.
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; H01L21/469
摘要：
An interlayer dielectric may be exposed to a gas cluster ion beam to densify an upper layer of the interlayer dielectric. As a result, the upper layer of the interlayer dielectric may be densified without separate deposition steps and without the need for etch stops that may adversely affect the capacitance of the overall structure.
公开/授权文献
- US20050181631A1 Densifying a relatively porous material 公开/授权日：2005-08-18
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IPC分类:
