发明授权
US4937174A Process of obtaining improved contrast in electron beam lithography
失效
在电子束光刻中获得改善的对比度的方法
- 专利标题： Process of obtaining improved contrast in electron beam lithography
- 专利标题（中）： 在电子束光刻中获得改善的对比度的方法
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申请号： US380029申请日： 1989-07-14
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公开(公告)号： US4937174A公开(公告)日： 1990-06-26
- 发明人: Gary Bernstein , David K. Ferry , Wenping Liu
- 申请人： Gary Bernstein , David K. Ferry , Wenping Liu
- 申请人地址： AZ Tempe
- 专利权人： Arizona Board of Regents
- 当前专利权人： Arizona Board of Regents
- 当前专利权人地址： AZ Tempe
- 主分类号： G03F7/32
- IPC分类号： G03F7/32
摘要：
An improved developer for PMMA, electron resist comprising an effective amount of MEK in combination with MIBK or CS alone or a mixture thereof and a process of obtaining improved contrast in electron beam lithography therewith.
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