发明授权
- 专利标题： Method of growing multiple monocrystalline layers
- 专利标题（中）： 生长多个单晶层的方法
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申请号： US611838申请日： 1975-09-09
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公开(公告)号： US4022652A公开(公告)日： 1977-05-10
- 发明人: Hitoshi Hirano , Tsuguo Fukuda
- 申请人： Hitoshi Hirano , Tsuguo Fukuda
- 申请人地址： JA Kawasaki
- 专利权人： Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd.
- 当前专利权人： Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JA Kawasaki
- 优先权： JA49-110026 19740926
- 主分类号： C01G35/00
- IPC分类号： C01G35/00 ; C30B15/00 ; C30B15/34 ; C30B19/06 ; H01L21/208 ; B01J17/18 ; B01J17/34 ; B01J17/36
摘要：
A method of growing multiple monocrystalline layers from melts comprising growing a first monocrystalline layer from the first melt, and growing a second monocrystalline layer on the first monocrystalline layer from the second melt by successively contacting the first monocrystalline layer with the second melt during the growth of the first monocrystalline layer.
公开/授权文献
- US4576720A Subcyclonic jet recirculation grit removal system 公开/授权日：1986-03-18
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