- 专利标题： ONE TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL AND MEMORY ARRAY
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申请号： US15654526申请日： 2017-07-19
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公开(公告)号： US20180061756A1公开(公告)日： 2018-03-01
- 发明人: Kerstin Kaemmer , Martin Bartels , Henning Feick
- 申请人： Infineon Technologies AG
- 优先权： DE102016115939.5 20160826
- 主分类号： H01L23/525
- IPC分类号： H01L23/525 ; H01L27/112 ; H01L27/102 ; G11C17/16
摘要：
One time programmable memory cell and memory arrayMemory cells and corresponding memory arrays are provided. The memory cell comprises a fusable element and a bipolar transistor arranged adjacent to the fusable element.
公开/授权文献
- US10276494B2 One time programmable memory cell and memory array 公开/授权日：2019-04-30
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IPC分类:
