发明申请
- 专利标题： TUNGSTEN CAPACITOR ANODE AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF
- 专利标题（中）： TUNGSTEN电容阳极及其生产工艺
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申请号： US14366577申请日： 2012-08-30
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公开(公告)号： US20140355178A1公开(公告)日： 2014-12-04
- 发明人: Kazumi Naito
- 申请人： Kazumi Naito
- 申请人地址： JP Minato-ku, Tokyo
- 专利权人： SHOWA DENKO K.K.
- 当前专利权人： SHOWA DENKO K.K.
- 当前专利权人地址： JP Minato-ku, Tokyo
- 优先权： JP2011-276857 20111219
- 国际申请： PCT/JP2012/071941 WO 20120830
- 主分类号： H01G9/052
- IPC分类号： H01G9/052 ; H01G9/00 ; B22F3/12 ; H01G9/15 ; H01G9/042
摘要：
A capacitor anode including a tungsten sintered body having an average pore diameter of 0.3 μm or less; and a method for producing the anode. The method includes forming tungsten powder into a molded body having a density (Dg) of 8 g/cm3 or more and then sintering the molded body to a density (Ds) of at least 1.15 times the density (Dg) to form a tungsten sintered body having an average pore diameter of 0.3 μm or less.
公开/授权文献
- US09478360B2 Tungsten capacitor anode and process for production thereof 公开/授权日：2016-10-25
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